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(多图) 功率P-FET控制器LTC4414

来源:今日电子/戴维德?? 2006年07月14日 ?? 收藏1

???????2 加上辅电源

???????当加上辅电源(如交流适配器)后,如果VSESNE> VIN+20mV,则内部电源选择器由SENSE端向内部电路供电。模拟控制器使GATE端电压升高到VSENSE,则P-MOSFET截止,辅电源通过肖特基二极管D1向负载供电。这种电源切换是自动完成的。

???????在辅电源向负载供电时,模拟控制器给内部FET的栅极送高电平,FET导通,STAT端呈低电平(表示辅电源供电)。上拉电阻RPU的阻值要足够大,使流过FET的电流小于

5mA。

???????在上述两种供电方式时,CTL端是接地或悬空的。CTL的控制功能将在下面的应用电路介绍。

???????典型应用电路

???????1? 主、辅电源自动切换电路

???????图3是一种减少功耗的主、辅电源自动切换电路,其功能与图2电路相同,不同之处是用一只辅P-MOSFET(Q2)替代了图2中的D1,可减少电压降及损耗。其工作原理与图2完全相同。

?????????????????????? 主/辅电源自动切换电路
???????????????????????????????????????????????? 图3 主、畏电源自动切换电路

??????????????????????????? 由微控制器控制的电源切换电路
????????????????????????????????????????????? 图4 由微控制器控制的电源切换电路

???????2 由微控制器控制的电源切换电路

???????由微控制器(μC)控制的电源切换电路如图4所示。此图中的主、辅P-MOSFET都采用了两个背对背的P-MOSFET组成,其目的是主电源或辅电源中的P-MOSFET截止时,均不会通过P-MOSFET内部的二极管向负载供电。其缺点是电源要通过两个P-MOSFET才能向负载供电,损耗增加一倍,并增加成本。


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P-EFT? 功率? 控制器?

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