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IR全新功率MOSFET有效提升48V网络及通信系统性能

EDN China?? 2003年11月12日 ?? 收藏0
国际整流器公司 (IR) 推出全新额定100V IRF7495和额定80V IRF7493 N沟道HEXFET功率MOSFET,它们经过特别优化,适用于电信系统中采用隔离式全桥或半桥电路的直流-直流转换器。
  IRF7495和IRF7493的器件通态电阻和栅漏电荷极低,最适合开关频率为500kHz或以下的转换器。
  IR最新的沟道设计大大增强了MOSFET的通态电阻和栅电荷性能,随着效率得到提升,结温较同类器件低出摄氏十度以上。当器件应用于48V总线转换器方案的原边部份,这种性能特别得到充分体现。结温下降有助提高可靠性,对现今的网络通信基础设施极为重要。
  IRF7495专为通用电信输入电压范围 (36V至75V) 系统的半桥及全桥电路而设计。与同类器件相比,其组合通态电阻 (RDS(on)) 和栅电荷 (QG) 评测指数低出达17%。
  IRF7493专为精简ETSI (欧洲电信规格) 范围 (36V至60V) 或可调式48V系统的半桥及全桥电路而设计。与同类器件相比,其组合通态电阻 (RDS(on)) 和栅电荷 (QG) 评测指数低出达7%。
  IRF7493是IR最新直流总线转换器芯片组的一部分。该芯片组专为用于48V输入系统的隔离式二级分布式功率架构而设,当中的第二级负载点转换器能够从非调节式输入电压产生出严格调节的负载电压。二级分布式功率架构电路无需严格调节的中间总线电压,因为负载点一般可接受相对较宽的输入电压,而负载点又能为有关负载提供所需调节。
  与标准二极管解决方案相比,这些器件能将150W有源ORing应用的整体功率损耗减低达90%,因为其通态电阻能体现高度效益,产生直流损耗远比ORing二极管的正向电压要低。与此同时,封装形式也从一般二极管ORing方案处理功率耗散的笨重D2Pak,缩小为SO-8。新器件还适用于48V热插拔应用,也可用作针对可调式12V至24V输出电压的同步整流器。在这些应用环境中,低通态电阻是改善性能的关键,而IR的新器件较同类产品提供低5%至10%的通态电阻。
  IR中国及香港销售总监严国富表示:"全新SO-8封装MOSFET的栅电荷甚低,能体现较低的开关损耗;整体通态电阻亦降至最低,有助减少传导损耗。只要选用最新的80V和100V IR器件,便能改善各类高性能网络通信系统中的分布式功率架构,包括隔离式转换器、有源ORing和热插拔电路。"
  IRF7493和IRF7495现已投入供应。数据表详载于IR网页www.irf.com,基本规格如下:
基本规格

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