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碳纳米管从高性能放大器中吸收热量

EDN China?? 2006年03月07日 ?? 收藏0

  Fujitsu宣称将使用碳纳米管,用于在下一代基站的高频率、高功率放大器中散热。因为传统面朝上的封装技术存在电感对放大倍数的限制,设计者通常对这样的放大器采用倒装晶片(flip-chip)封装。但是按照该公司的说法,在flip-chip方案中连接放大器到印制板的金属管脚不能为高功率晶体管提供充分的散热。

  Fujitsu的技术用多束垂直碳纳米管来代替金属凸点,它采用一种铁催化剂涂覆专有工艺生成。这种纳米管能够提供1400W/(m-K)的热传导能力,而铜只有400W/(m-K)。根据Fujitsu的说法,这种方案获得了与面朝上配置方式同等的散热水平,但是电感只有一半,这样可在5GHz或更高频率上获得至少2dB放大能力增长。

Fujitsu   www.fujitsu.com


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碳纳米管? 高性能? 放大器?

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