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IR推出30V功率MOSFET 将两相同步降压转换器效率提升2%

EDN China?? 2006年02月10日 ?? 收藏0

  国际整流器公司近日推出两款新型30V HEXFET?功率 MOSFET,可将30V/45A两相同步降压转换器MOSFET解决方案的轻负载效率提升2%,用来驱动笔记本电脑及其他高性能计算应用中的Intel和AMD最新型处理器。

  这两款新型无铅器件分别是IRF7823PbF和IRF7832ZPbF,通过优化传导、开关和体二极管损耗,可实现最佳的效率和功率密度。两款器件可用作每相需要一个控制和2个同步MOSFET的两相同步降压转换器电路芯片组。这组新型SO-8 MOSFET 还适用于其他采用PWM控制的DC-DC降压转换器应用。

  新的芯片组包含一个控制MOSFET和一个同步MOSFET,每个器件都经过专门设计,以发挥其最大效能。控制MOSFET具有更低的开关损耗(栅电荷),同步MOSFET则具有低传导损耗(低导通电阻)及低逆向恢复电荷。

  IRF7823PbF是一款经过优化的控制场效应管(FET),栅电荷(Qg)和栅-漏极电荷(Qgd)都非常低,分别只有9.1nC和3.2nC。

  IRF7832ZPbF对同步FET功能进行了优化,4.5V下的典型

导通电阻极低,只有3.7m?,适用于高达12A的应用环境。IRF7823PbF和IRF7832ZPbF现在均已供货。以1万片订货量计算,IRF7823PbF每片0.5美元,IRF7832ZPbF为0.88美元,价格会有所变动。两种器件均为无铅产品,符合有害物质管理规定(RoHS)。


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DC/DC? MOSFET? 转换器?

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