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低功耗MOS相位转换存储器单元

EDN China?? 2006年02月09日 ?? 收藏0
日立与瑞萨发布了低功耗相位转换存储器单元的成功原型。这种非易失半导体存储单元可以在电源电压为1.5V和电流低至100μA的条件下进行编程,与采用以前技术的日立和瑞萨发布的产品相比,每个单元的功耗降低了50%。此外,相对于现有的非易失存储器,新的相位转换单元在高速读写能力、编程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更为优异。该原型单元采用130nm CMOS工艺制造。其结构采用了MOS晶体管和一层在热响应中呈非晶体状态(高阻抗)或晶状(低阻抗)的相位转换薄膜。两种状态的编程是通过180nm直径的钨下电极接点(BEC)实现的。在一次读操作中,存储的数字(1或0)信息是由薄膜中电流流动量的差别决定的。

网址:www.renesas.com
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低功耗? 相位转换? 存储器?

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