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英飞凌将90纳米DRAM沟槽技术转让于中芯国际

丛秋波?? EDN China副主编?? 2006年02月09日 ?? 收藏0
英飞凌科技公司 (Infineon)和中芯国际 (SMIC)近日签署合作协议,将进一步扩展在DRAM产品生产领域中的现有合作,开始90纳米标准的产品合作生产。

  根据新协议,英飞凌将把自己最尖端的90纳米DRAM沟槽技术和300毫米产品生产技术转让于中芯国际,未来还将继续扩展到70纳米技术的进一步转让。中芯国际总裁兼首席执行官张汝京表示,中芯国际将为英飞凌生产属于此技术范围之内的产品。预计在2006年中期完成产品的最终验证之后,中芯国际将开始将其目前用于英飞凌110纳米DRAM产品的300毫米生产线转移至90纳米产品之上。中芯国际的工作方向将着眼于继续为英飞凌提供无缝的生产制造服务。

  英飞凌科技公司管理董事会成员兼英飞凌存储产品业务集团总裁罗建华也表示,中芯国际是英飞凌在中国和亚洲的核心合作伙伴,此次的扩展协议将进一步增大现有的生产合作协议内容,从而可以在无需投资修建新生产线的前提下继续拓展英飞凌的DRAM 业务。

  张汝京还透露,90纳米DRAM沟槽技术生产的芯片目前主要应用于台式电脑和笔记本电脑。下一步,中芯国际还将会为英飞凌的手机产品中的存储芯片进行代工。
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90纳米? DRAM? 技术转让?

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