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IR推出100V集成MOSFET解决方案 为PoE应用节省80%空间

EDN China?? 2005年12月22日 ?? 收藏0

  国际整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFET? MOSFET集成在一个功率MLP封装内,可满足以太网供电(Power-over-Ethernet,简称PoE)应用的需求。这款新器件符合针对网络和通信基础设施系统的IEEE802.3af标准,例如以太网交换器、路由器和集线器等,可提供每端口15W的功率,并能取代4个独立SOT-223封装的MOSFET。其减少的占位面积相当于节省了80%的空间,或相当于典型48端口电路板中3平方英寸的占板面积。

  IR中国及香港销售总监严国富指出:“PoE卡的每个端口都需要有各自的MOSFET,IRF4000正好可以满足这种需要。与使用单独MOSFET的解决方案相比,它能大幅度减少零件数目,同时简化制造工艺,可在48端口系统中节省36个插入元件。”

  IEEE 802.3af提出了在网络系统中由电源设备通过局域网向用电装置供电的标准。IR的这款新型MOSFET的工作类似一个热交换场效应管,在受控环境下,可将电力由电源设备输送到用电装置。由于它必须在线性区域工作,工作环境也非常严峻,因此必须设置一个

高度稳定的安全工作区域(SOA)。

  IRF4000采用低跨导硅技术,封装热阻约1°C/W,在线性区域工作时可高效地散发热量。该器件经过全面的电学和热特性优化,以适应最苛刻的IEEE 802.3af工作条件,与独立的SOT-223 MOSFET 相比,该器件安全工作区域增加56%,有效改善了系统的可靠性和耐热性。

  IRF4000除了适用于48端口系统,还适用于96端口产品或更小型的12端口PoE 插头模组。在各种情况下,每个IRF4000器件都可以取代4个端口。新器件已经通过MSL三级认证。

  IRF4000除了符合IEEE 802.3af规范,还能够满足即将问世的针对高功率负载的PoE Plus构架的要求。


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MOSFET? MLP?

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