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电磁加热用1200V NPT沟道IGBT

EDN China?? 2005年12月05日 ?? 收藏0
飞兆半导体公司的FGA25N120 ANTD 1200V NPT沟道 IGBT结合业界最佳的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡,能为电磁加热 (IH) 应用提高系统可靠性和效率。FGA25N120ANTD 专为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计,与上一代器件相比,它的工作温度可降低达10℃,因而能够延长系统寿命。NPT沟道IGBT采用飞兆半导体的专利沟道技术和非穿通型 (NPT) 技术。这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺使得FGA25N120ANTD能够耐受最大450mJ的雪崩能量,确保在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。FGA25N120ANTD以TO-3P无铅封装形式供货。

网址:www.fairchildsemi.com

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电磁加热? NPT沟道? IGBT?

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