EDN China > 其它文章 > 微处理器与DSP > CPU/GPU > 正文
? 2016博客大赛-不限主题,寻找电子导师,大奖升级??

NOR+ORNAND架构增强代码和数据存储能力

EDN China?? 2005年12月05日 ?? 收藏0
Spansion公司最近刚刚展示了基于90nm MirrorBit技术的单芯片1GB GL NOR闪存,近日又验证了1GB ORNAND闪存芯片。该芯片融合了NOR快速随机读写、快速顺序读写和极高的可靠性和NAND快速写入、低成本和高容量优势。对此,Spansion公司无线解决方案事业部执行副总裁Amir Mashkoori表示,很多客户都希望利用NOR架构来存储执行代码,因为它具有很高的可靠性、读取性能和易用性。利用Spansion的NOR和ORNAND架构,通过在90nm技术的基础上将MirrorBit技术扩展到更高的容量,这样不仅使我们的客户可以继续享受到MirrorBit技术在代码存储方面所带来的好处,而且让他们可以将MirrorBit技术用于无线和嵌入式设备中的数据存储。

  对于手机而言,16MB内存就可以保障手机的基本语音服务;如果使用彩色LCD,则需要32MB内存;手机带有基本摄像功能,则需要64MB内存;如果手机拥有下载64和弦铃声功能,则需要128MB内存;搜索引擎需要256MB;导航需要512MB;而高端多媒体功能的手机则需要1GB甚至更高的存储容量。特别是随着手

机从低端向高端发展,需要对越来越多的数据进行存储;同时,代码存储量也在增加,因此需要提供相应的解决方案来满足发展需求。对于最高端手机来说,闪存这一部分材料成本费,最终可以高达整个电子部件成本费的40%。而Spansion基于MirrorBit技术的NOR和ORNAND架构(双芯片架构)解决方案则可以帮助用户满足多样化的嵌入式市场对于容量、质量、成本结构和安全性以及可扩展性的需求。

  Amir Mashkoori说,读取性能决定了手机用户能够以多快的速度启动他们的电话,使用不同的功能和应用(例如游戏),以及访问关键的内容(例如视频和音乐)。更高的读取性能将会改善用户在无线电话上使用这些多媒体功能时的体验。无论是低端手机、高端手机还是智能手机,手机存储子系统的主要架构目前仍是NOR+RAM和NAND+RAM这两种组合,随着Spansion的NOR+ORNAND架构解决方案的推出,高容量的1GB GL NOR闪存产品可以帮助客户降低设计成本,增强最终产品的功能,确保可靠的、快速的代码执行。而1GB MirrorBit ORNAND架构由于在读取方面的卓越性能,它的突发脉冲式(Burst)写入速度将比现有的NAND产品高4倍,可用于大容量的数据存储,从而也可避免使用昂贵的RAM。

  针对Spansion未来闪存产品的开发,Amir Mashkoori表示,2006年中旬公司将推出容量高达2GB的ORNAND设备。计划在2006年初推出高性能的1.8V 512MB NOR设备的样品,并在2006年开始生产基于65nm MirrorBit 技术的产品。(丛秋波)


?? ?? ??


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
?? ??

NOR? ORNAND架构? 内存? 增强存储能力?

相关文章

我来评论
美国的游客
美国的游客 ??? (您将以游客身份发表,请登录 | 注册)
?
有问题请反馈