EDN China > 设计实例 > 电源技术 > AC-DC/DC-DC转换 > 正文
? 2016博客大赛-不限主题,寻找电子导师,大奖升级??

(多图) 带电流检测的门极驱动ICs: IR212X

来源:电子产品世界?? 2005年10月30日 ?? 收藏0

OSFET 的电流检测脚流出,流过取样电阻,再流到源极。电流取样电阻阻值取决于与MOSFET 上过载电流相应的从Hexsense电流检测脚上流出的那部分电流的大小。

应用Hexsense MOSFET 的电流检测方法

图5)应用Hexsense MOSFET 的电流检测方法

  此电路要比在源极/发射极下串取样电阻的方法要好,因为只有一小部分漏极电流流过取样电阻,所以功耗显著降低。一个可能的缺点是在额定电压和Rds(on)方面与常规MOSFET 相比,没有太多的Hexsense MOSFET 可供选择。

  欠饱和检测电路

  图6 所示的电流检测电路是所谓的欠饱和检测电路。它起初用于IGBT,用来检测由于过流而过饱和的IGBT 的电压。这就是说,它也可以用于MOSFET。对于MOSFET,原理相似,因为过载时FET上的电压将会显著增加。

欠饱和检测电路图

图6)欠饱和检测电路图

  计算电阻值用下面的方法:

  Rg是门极电阻,选择适当阻值以优化开关速度和开关损耗。

  R1典型值为20k;高的阻值有助于最大限度地减小由于二极管D1而增加的弥勒电容,确保没有显著电流从HO 流出。注意二极管D1 应具有和自举二极

管一样的特性。

  当HO 输出为高时,MOSFET(也可以是IGBT)Q1 开通。则图6 中的X点被拉低至一个电压,此电压等于FET 上的压降Vds 加上二极管D1 压降。所以,当FET Q1 上的压降达到你所设定的指示过载故障的限值时,我们将关掉驱动器输出。

  所以Q1 上Vds 电压为10V。一个的超快恢复二极管的典型电压值为

  1.2V。 Vx="VD1"+VDS
  Vx=1.2+10 Vx="11".2V

  IR2127 CS 端开启电压为250mV,所以我们需要对Vx 分压,使Vx=11.2V 时,Vy=250mV。

  VY=Vx * R3/(R2+R3) 设R2=20k R3=457 ?

  4) 布板注意事项

  以下是在应用电流传感驱动器时布板需要注意的几点:

  尽可能缩短输出到门极的连线(小于1 inch 比较合适)。
  使电流检测电路尽可能靠近IC以使由电路耦合噪声引起误触发的可能性降到最低。
  所有大电流连线尽可能加宽以减小电感。
  更进一步的布线提示可以参考设计提示97-3“由控制IC 驱动的功率电路中的瞬态问题的处理”


上一页12下一页
?? ?? ??


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
?? ??

电流检测? 门极驱动? ICs?

相关文章

我来评论
美国的游客
美国的游客 ??? (您将以游客身份发表,请登录 | 注册)
?
有问题请反馈