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飞兆半导体推出SC75 FLMP封装的低压MOSFET

EDN China?? 2003年09月12日 ?? 收藏0
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P沟道MOSFET器件FDJ129P,为便携设备电源管理带来综合的性能和节省空间优势,这些设备包括移动电话、PDA、便携音乐播放机、GPS接收装置、低压/低功率DC-DC转换器及数码相机等。FDJ129P在紧凑的SC75 FLMP(倒装引脚铸模封装)中结合了飞兆半导体的高性能 PowerTrench 技术,结果可以带来比SSOT-6 或TSOP-6封装所提供同类MOSFET器件减少60%的电路板空间。FDJ129P的功耗为1.8W,最大稳态电流为4.2A - 这数值比采用SC75封装技术的同类型产品高出12倍。
  FDJ129P提供的性能与FDC640P等典型TSOP-6基础产品相似,但占用的电路板空间却较TSOP-6封装减少了60%,侧高则降低了34%。飞兆半导体便携产品应用市场发展经理Chris Winkler称:"现在,客户可选用新器件来减少其电路板尺寸,或利用SC75 FLMP的功能将其电路升级至更高的电流能力。"
  此外,FDJ129P提供低开关损耗,因此能减少系统的功率耗散,并具备高达4.2A的最

大稳态电流和16A的最大脉冲电流。
  飞兆半导体是首家厂商提供FLMP封装的P沟道MOSFET,该专利的封装技术可省去传统的引线粘接,带来极低的电阻。FLMP封装同时在印刷电路板和MOSFET晶片之间 (泄漏连接) 提供低热阻路径。低电阻和低热阻的结合可大大提高电源管理设备的性能。
  FDJ129P的低封装高度 (最大仅为0.8 mm) 能让该产品用于RF屏蔽和内部组件及显示器件之下,从而满足业界对更薄、更低侧高封装从不间断的需求。除了封装方面的优势外,该新器件还具有极低的RDS(on)(70mΩ @ VGS = -4.5V 和120mΩ @ VGS? = -2.5V)和低栅极电荷(VGS +/- 12V时Qg£6nC)。
  SC75 FLMP封装P沟道MOSFET的推出扩充了飞兆半导体针对便携应用的产品种类,包括音频放大器、背光LED、温度传感器和复位发生器电路等监控产品,以及LDO和TinyLogic。
  封装的电性能和热性能比较: 封装的电性能和热性能比较


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FLMP? 低压? MOSFET?

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